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Intel镁光推全球首款20nm 128Gb闪存

    泡泡网固态硬盘SSD频道12月7日 前不久我们报道了Intel将在2012年第三季度发布全新的代号为King Crest新款SSD,取代现有的510以及即将发布的520 SSD,产品将率先使用20nm MLC NAND闪存,产品容量将得到进一步提升,1TB已是水到渠成。而Intel和镁光今天宣布了全球首款基于20nm MLC NAND闪存,容量高达128Gb。

Intel开发出全球首款20nm 128Gb闪存

    新款20nm 128Gb NAND相对此前的64Gb提升了一倍,NAND将兼容全新的ONFi 3总线,速度提升到333MT/s,产品很有可能将率先应用到新款King Crest SSD上,届时1TB SSD也是箭在眉梢。

Intel开发出全球首款20nm 128Gb闪存

    Intel与镁光表示20nm 128Gb闪存将于2012年第二季度开始正式量产,有望于2013年前用在SSD上。届时SSD将真正进入TB级时代。厂商将可制造出指尖大小单芯片封装的128GB SSD,仅用8块封装芯片就可做出1TB的SSD,如果芯片布满2.5英寸PCB的两侧共16颗,容量更是可以达到2TB。采用这种闪存的Ultrabook/MacBook Air的SSD容量也可轻松达到512GB/1TB。

Intel开发出全球首款20nm 128Gb闪存

    除发布新的128Gb闪存外,Intel与美光还宣布64Gb 20nm NAND正式开始量产。但由于同样需要开发适合8KB page size的主控,采用64Gb闪存的SSD成品预计2012年中期才能见到。■

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