踏IDF七彩祥云!Ivy Bridge处理器前瞻

    3D Tri-Gate工艺使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来，这种全新设计带来了硅芯片的重大突破。

32nm二维晶体管设计（左）与22nm三维晶体管设计（右）

3D Tri-Gate工艺突破了传统二维晶体管限制

    从上面的示意图上可以看出，硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2-D二维晶体管只在顶部有一个。这样设计的好处之一便是可以突破传统二维晶体管限制，从而在更小的体积内塞入更多晶体管，以设计出更高性能的产品。

3D Tri-Gate工艺使得CPU工作在更低电压下

    3D Tri-Gate工艺带来的另一大好处就是可以显著降低芯片的功耗，尽管Ivy Bridge在更小的面积增加了更多晶体管，但是它的功耗却明显降低，这得益于3D Tri-Gate工艺带来的漏电率降低，阈值电压大幅下降，晶体管可以工作在更低的电压下，这使得22nm的Ivy Bridge相比32nm的Sandy Bridge核心电压降低了0.2V。