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22nm不过如此 3770K/2700K超频大对决

    3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极,形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极,其中两侧各一个、顶面一个,用于辅助电流控制,而2-D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的,晶体管可以更加紧密地靠在一起,从而大大提高晶体管密度。

IVB完整解读

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    这种设计可以在晶体管开启状态(高性能负载)时通过尽可能多的电流,同时在晶体管关闭状态(节能)将电流降至几乎为零,而且能在两种状态之间极速切换。Intel还计划今后继续提高硅鳍片的高度,从而获得更高的性能和效率。

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    率先登陆22nm工艺后,相比32nm Planar晶体管结构,新的3D Tri-Gate在低电压情况下可以获得37%的性能提升,而在相同性能的情况下,功耗可以得到50%的显著下降。

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    反映到最新的Ivy Bridge处理器上,可以再单位面积容纳更多的晶体管,相比Sandy Bridge可以增强处理器性能,另外改进的图形引擎,使得主流的DirectX 11终于得以支持,并提升约50%的图形性能。

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