富士通新磁头 饱和磁通量密度达2.57T

　　“2.3T曾被业界视为极限，很多厂商都不再做进一步的开发”（富士通存储产品业务本部长第一业务部磁头先行开发部野间 贤二）。富士通日前成功地开发出饱和磁通量密度（Bs）高达2.57T的记录磁头。这项成果打破了过去普遍认为Bs的上限约为2.3T的常识。据称由此可在水平记录方式下实现160Gbit/平方英寸的面记录密度。

　　首先在硅底板上形成5nm厚的铬（Cr）膜，再层叠25次（FeCo30/Pd）膜，之后再形成10nm厚的铜（Cu）膜。通过将每层FeCo的膜厚固定为1.7nm，而改变Pd的膜厚，当Pd膜为1.4nm时，饱和磁通量密度达到了最高的2.57T。

　　据称，采用在FeCo30中添加Pd的材料，取代层叠25次（FeCo30/Pd）膜的情况下，当Pd浓度达到2.2%时饱和磁通量密度最大可达2.44T。该公司表示，从层叠时的饱和磁通量密度高于添加材料来看，可能是Pd的规则排列提高了饱和磁通量密度。

　　富士通准备通过尝试新材料，进一步提高饱和磁通量。目前正在向着2.7T的目标加紧开发，据称在该公司内部已经获得超过此次发表的成果。