太超前：三维 FinFET 晶体管助力14nm

    泡泡网CPU频道9月25日 虽然在32nm、28nm工艺上都不怎么顺利，20nm也尚未投产，GlobalFoundries今天又宣布了更加未来化的“14nm-XM”，将半导体工艺推进到14nm阶段，并首次引入三维FinFET晶体管。Intel 22nm 3-D晶体管就与之有异曲同工之妙。

    该技术主要面向下一代移动设备，其中XM就代表着“eXtreme Mobility”(极致移动)，是一套真正为移动SoC芯片完全优化的非平面架构，号称对比20nm两维平面晶体管技术同等性能前提下可以带来40-60％的电池续航时间改进，同等电压可带来20-55％的性能提升。

    GF 14nm-XM是一套模块化的工艺架构，融合了14nm FinFET、20nm-LPM，其中后者即将投产，借助它的成熟性可以实现向FinFET技术的快速、平滑迁移。

    14nm-XM目前还处于研发阶段，纽约州新建的Fab 8晶圆厂内正在进行硅测试，并提供初期的流程设计工具包(PDK)，预计2013年初完成客户方案的流片，2014年批量投产。如果20nm工艺能在明年实现投产，那么这次过渡将成为GF历史上最快的一次，仅仅一年就迈过一个时代。

14nm FinFET三维晶体管示意图

可以转向FinFET三维技术的平面设计方案

FinFET晶体管技术概览

20nm LPM加上14nm FinFET就是14XM

14/20nm性能、功耗改进对比

14/20nm性能、功耗改进对比

GF FinFET技术研发历程

GF工艺路线图：20nm近在眼前

GF工艺路线图：20nm到14nm只要一年？■