DDR4内存提前亮相 内存发展开始提速

    泡泡网内存频道1月15日 近期有关DDR4内存的消息越来越多，让我们有理由相信明年将会成为其大放异彩的时期，不过在过去的报道中，一直提到DDR4内存会在2014年露面，如今已经提前出现，看来内存的发展也开始提速了。内存作为PC不可缺少的重要核心部件,从规格、技术、总线带宽等不断更新换代，其目的在于提高内存的带宽，以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。首先先让我们一起来了解内存发展的历史。

　　在最初的时候，还没有内存条的概念，当时电脑上使用的内存只是一块块的IC，直接焊接到主板上，不过因为为维修带来了困难，一旦某块内存IC坏了，就必须焊下来才能更换，因此，电脑设计人员推出了模块化的条装内存，每一条上集成了多块内存IC，同时在主板上也设计相应的内存插槽，这样内存条就方便随意安装与拆卸了，内存的维修、升级都变得非常简单。

    之后内存经历了从首代的SIMM内存发展到EDO DRAM内存，以及比较经典的SDRAM时代、Rambus DRAM内存，直到2001年开始进入DDR时代，而颠峰于DDR400，由于频率无法继续提升，在2004年开始推出DDR2内存，到2006年DDR2 800正式进入顶峰时期至今，硬件的发展在未来已经不足以让DDR2 800继续领跑，那么进入2009年，DDR3 1333内存开始将DDR3内存推向市场主流，而每次的内存发展，都完全因技术瓶颈，而进入新的时代。

    DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，与SDRAM相比，DDR运用了更先进的同步电路，从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。

    DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示，工作频率是内存颗粒实际的工作频率，但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据，因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

    2006刚开始DDR内存还是主流，但由于AMD在06年第二季度发布全新的AM2接口，引进了DDR2内存的支持，再也不支持DDR内存。再加上Intel力挺DDR2内存，致使DDR2内存慢慢崛起。现在由于价格低廉，已经完全取代DDR内存的地位，市面上还会购买DDR内存的人微乎其微，DDR内存已被DDR2打死。一件事物的兴起，不仅要有外因的推动，自身本质也是最重要的。

    虽说DDR2与DDR名字仅一字之差，但它们可以说是质的不同了。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准DDR2 SDRAM，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。

    DDR2与DDR区别

    1.电压也比DDR的2.5v低许多，在1.8v的同频率下DDR2可比DDR低一半功耗，高频低功耗是DDR2内存的优点
    2.DDR2采用更低发热量，更低功耗的情况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制
    3.DDR2内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取

    此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。

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    DDR3代替DDR2也是一个缓慢的过程，在2002年6月28日，JEDEC就公布开始开发DDR3内存标准，而它的普及已经到了09年左右。

    DDR3与DDR2区别

    1、DDR3内存是当今享有最高速度之称的DDR2内存产品速度的两倍
    2、DDR3内存有望在今年我们的计算机系统中使用
    3、DDR3的主要优势是可以在更高的带宽和更低的功耗下提升性能
    4、8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率 只有100MHz
    5、采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担
    6、采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能

    相对来看，DDR3最大优势就是可以把频率进一步提升，且在高频下的功耗相比DDR2要有所降低。由于DDR2内存的频率在达到1066MHz的极端频率下的良率及成本都不理想，注定其无法得到厂商的支持以及市场的接受，因此，厂商们寻求另一种更低成本来获得更高频率的内存解决方案，而DDR3正是基于这一目的的解决平台。

    DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，下一代内存DDR4的预期则只有一年，就要成为新的主流规格。DDR4内存规格原计划在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市，不过之后则预测将在2014年才会出现，不过如今就已经出现了消费级DDR4产品的实物了。英特尔在2012年的IDF的会议课程上也预测在2014年DDR4将成为主流，而到了2015年将会与DDR3势均力敌。

    DDR4与DDR3区别

    1.新的JEDEC POD12接口标准，DDR4内存的VDDQ电压将设定在1.2V
    2.新的终止调度：在DDR4中DQ bus可以转移终止到VDDQ，这样可以即时VDD电压降低的情况下也能保证稳定 
    3.正常和动态的ODT：改进ODT协议，并且采用新的Park Mode模式可以允许正常终结和动态吸入终结，而不需要去驱动ODT Pin。
    4.新的数据总线CRC技术，可以进行传输过程中的错误侦测，特别对非ECC内存进行写入操作时有帮助。
    5.针对命令和地址总线的新的CA奇偶校验
    6.DLL关闭模式支持

    DDR4虽然性能提升了，不过在功耗方面，依然控制的比较理想，这给以后的笔记本等方案可以带来更长的电池续航时间。因此DDR4的预期普及速度会非常快，预计2014年当年就会占全球内存总出货量的12％，也就是大约1.22亿条；2015年就会坐火箭一般窜升到56％，出货量将近6亿条，将DDR3的比例从85％挤到只剩42％，迅速完成世代交替。

    目前多家内存厂商已经展示了自己的DDR4内存的样品，不过到真正实际应用，还需要英特尔等厂商在整体的PC架构上进行改变才能够实现，尤其是需要进入到主流的笔记本和桌面级PC平台。

    海力士、三星等过去两年曾经陆续展示过自己的DDR4内存样品，但都是企业级的UDIMM、RDIMM。现在，美光旗下品牌Crucial终于拿出了去年五月份就预告过的第一款消费级DDR4 DIMM内存条。

    该内存条属于Crucial Ballistix系列，长宽尺寸133.35毫米、31.25毫米，基于美光的30nm 4Gb DDR4颗粒(DDR3大多都是2Gb)，单面八颗，总容量4GB。

注意两个红框处是弯曲的

    按照规划，Crucial后期还会提供8Gb DDR4内存颗粒，总容量最高可达16GB，不过不会是消费级的DIMM，而是企业级的UDIMM。

    额定频率为2133MHz，在新的DDR4标准规范中属于中档水准，最高是可以做到3200MHz的，Crucial自己也说现在展示的跑到2400-2800MHz也毫无问题。电压是标准的1.2V，号称可比1.35/1.5V DDR3节能最多20％，而低压版有可能进一步降至1.0-1.1V。

    DDR4内存条金手指的下边缘不再像现在那样是完全平直的，而是有弧度的，在插拔的时候可以更省力一些。

    Crucial将会提供极为完整的DDR4产品线，除了桌面级的DIMM，还会有RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM，并可选支持ECC。

    Crucial DDR4内存条预计在2013年底出货，提供有限终身质保。

    如今我们有理由相信，内存正在加速向前发展，从内存的更新换代时间，以及整体性能上的飞跃都可以看到，DDR3代替DDR2需要三年时间，而DDR4代替DDR3则预计只要1年时间，DDR4的出现时间也已经从2014年提到了2013年。

    而且当前的内存形式并不乐观，许多内存制造商已将产能更多地生产手机用内存和其他非PC内存，已经导致PC用内存现货价格飙升。PC未来的发展也更趋向高端化，内存也需要进一步提升带宽来迎合，所以加速发展才是必然之路。■<