2013年趋势 新工艺闪存SSD已纷纷出货

    泡泡网固态硬盘SSD频道3月21日 闪存制程的进步可以提升SSD的性能，所以每一代新工艺的出现都让人们激动，去年主流的NAND闪存工艺是25nm，东芝则为24nm，这一代工艺就是ONFI阵营的20nm以及东芝Toggle DDR阵营的19nm了。

    每一次NAND闪存制程的提升，都会让Die尺寸以及成本得到减小，去年SSD常用的IMFT的25nm工艺，Die大小为167平方毫米，改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米，面积缩减了30%，芯片产量则可以提高40%，成本大大降低。今年年初Intel就推出了20nm闪存的新品，19nm闪存芯片也已经开始量产等新闻，近期有越来越多采用新制程闪存SSD消息传出。

    其实我们知道新制程早就已经出来了，不过相应的产品却很少，年前也只有几家SSD厂商推出，原因何在？只要就表现在主控与固件方面，这一方面，肯定是有自主开发能力或者开发团队实力较强的厂商更有优势，毕竟主控可以选择购买，但是固件直接影响自己产品的兼容性和稳定性及性能潜力开发，SSD厂商固件团队的实力直接影响产品的性能，所以虽然有新制程闪存，但是本身产品的推出时间就必然有先有后。

    当然，制程的提升带来了成本的降低，不过有得有失，Nand拥有更加先进的制程，因为物理特性的原因，在同样的空间要做出更加多的充放电动作，这则会增加读写数据的延时。另外密度的上升让SSD主控的纠错校正能力都受到了新的考验。新制程所带来的数据错误率比以前高，SSD的主控纠错能力要求就更加高了。最后是寿命方面，我们知道随着制程提升，闪存寿命是随之减少的，当年34nm的闪存演变到25nm，已经由普遍的5000P/E跌落到普遍的3000P/PE。如今25nm降至20nm以及19nm将会继续下降。

    不过闪存制程的提升是必然的趋势，为我们带来SSD整体性能的提升以及价格的下降，目前随着各家新主控以及固件的推出，新闪存SSD已经推出了很多款，今年势必是这一代产品的天下了，下面我们看看目前各家的新品。