2013年趋势 新工艺闪存SSD已纷纷出货

    泡泡网固态硬盘SSD频道3月21日 闪存制程的进步可以提升SSD的性能，所以每一代新工艺的出现都让人们激动，去年主流的NAND闪存工艺是25nm，东芝则为24nm，这一代工艺就是ONFI阵营的20nm以及东芝Toggle DDR阵营的19nm了。

    每一次NAND闪存制程的提升，都会让Die尺寸以及成本得到减小，去年SSD常用的IMFT的25nm工艺，Die大小为167平方毫米，改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米，面积缩减了30%，芯片产量则可以提高40%，成本大大降低。今年年初Intel就推出了20nm闪存的新品，19nm闪存芯片也已经开始量产等新闻，近期有越来越多采用新制程闪存SSD消息传出。

    其实我们知道新制程早就已经出来了，不过相应的产品却很少，年前也只有几家SSD厂商推出，原因何在？只要就表现在主控与固件方面，这一方面，肯定是有自主开发能力或者开发团队实力较强的厂商更有优势，毕竟主控可以选择购买，但是固件直接影响自己产品的兼容性和稳定性及性能潜力开发，SSD厂商固件团队的实力直接影响产品的性能，所以虽然有新制程闪存，但是本身产品的推出时间就必然有先有后。

    当然，制程的提升带来了成本的降低，不过有得有失，Nand拥有更加先进的制程，因为物理特性的原因，在同样的空间要做出更加多的充放电动作，这则会增加读写数据的延时。另外密度的上升让SSD主控的纠错校正能力都受到了新的考验。新制程所带来的数据错误率比以前高，SSD的主控纠错能力要求就更加高了。最后是寿命方面，我们知道随着制程提升，闪存寿命是随之减少的，当年34nm的闪存演变到25nm，已经由普遍的5000P/E跌落到普遍的3000P/PE。如今25nm降至20nm以及19nm将会继续下降。

    不过闪存制程的提升是必然的趋势，为我们带来SSD整体性能的提升以及价格的下降，目前随着各家新主控以及固件的推出，新闪存SSD已经推出了很多款，今年势必是这一代产品的天下了，下面我们看看目前各家的新品。

虽然已经有多家第三方厂商推出了基于东芝19nm NAND闪存的SSD产品，只是作为世界最大的NAND厂商的东芝自家品牌直到现在才升级19nm NAND。目前东芝新一代THNSNH系列SSD已经开始发售，性能上与前代产品差不多，不过在数据保护及其他方面有所改进。

　　THNSNH系列SSD有2.5寸SATA及mSATA两个类别，二者都是SATA 6Gbps接口，前者容量60GB、128GB、256GB以及512GB，mSATA没有512GB容量，只有60、128以及256GB三个容量。

　　性能方面，最大连续读取速度都是534MB/s，写入速度视容量不同有450MB/s、471MB/s以及482MB/s三个级别，使用的都是东芝自有主控和19nm MLC NAND闪存，支持TRIM。
 
　　此外，2.5寸的SSD厚度有7mm和9.5mm两种。
 
　　新出的THNSNH系列SSD除了升级NAND闪存之外还增强了数据保护技术，包括QSBC（quadruple swing-by code）以及强大高效的错误纠正等。
 
　　现在THNSNH系列SSD首先在欧洲地区开售，其他地区很快也会上市。

    金士顿在去年年底发布了全新的SSDNow V300系列固态硬盘，继续采用LSI SandFace SF-2281主控，但闪存更新为东芝19纳米Toggle 2.0，接口为SATA6Gbps，7mm厚度设计，容量包含60GB、120GB和240GB三款。

    性能指标方面，三款产品的最高顺序读写速度可以达到450MB/s，而最大随机4k读取/写入方面，60GB分别为85K和60K IOPS、120GB分别为85K和55K IOPS，而240GB则分别为85K和43K IOPS。

金士顿SSDNow V300固态硬盘

    金士顿还提供了性能参考，60GB的PCMark Vantage HDD Suite得到了39000分，而120GB和240GB版本则分别得到了49000和57000分。耐久性方面，金士顿给出的60GB总写入数据量为32TB，而120GB和240GB则分别为64TB和128TB。

    SSDNow系列固态硬盘是金士顿SSD的主流型号，V300的推出将有望取代当前的V200或V+200系列。而从其性能指标来看并不十分出众，可能是在固件层面做了限制，以和定位高端的HyperX SSD系列产品区别开来，而后者将有望在明年迎来新的升级。

    OCZ的Vertex 4系列固态硬盘已经发布了好长一段时间，只是其前辈Vertex 3仍然迟迟不愿离开市场。日前OCZ宣布，Vertex 3系列SSD将换装20nm工艺NAND闪存，更名为Vertex 3.20并继续销售。

　　据OCZ提供的资料显示，Vertex 3.20系列固态硬盘仍然采用SATA 6Gbps接口设计，仍然使用目前主流的SandForce SF-2281主控，厚度仍然维持9mm不变，唯一改变的就是更换为20nm MLC NAND闪存。至于闪存颗粒由哪一家厂商提供，按照目前来看很有可能是IMFT，至于是采购成品还是自行封装就不得而知了。
 
　　换用20nm工艺闪存的Vertex 3.20在性能上相比Vertex 3变化不大，前者的最高连续写入/读取速度分别为550MB/s和520MB/s，120GB版本的Vertex 3.20在连续写入上要比同容量的Vertex 3高一点。而4K随机读写的性能则根据SSD容量的不同有所区别，其中120GB版的4K随机读取和4K随机写入速率平均为20000 IOPS和40000 IOPS，240GB版则为35000 IOPS和65000 IOPS。
 
　　另外由于20nm工艺闪存颗粒的功耗更低，因此Vertex 3.20的活动功耗与待机功耗都要低于Vertex 3。按照OCZ给出的数据，Vertex 3的活动功耗以及待机功耗分别为3W和1.65W，而Vertex 3.20只有2.15W和0.55W。

　　目前Vertex 3.20固态硬盘已经开始出货，有120GB以及240GB两个版本，未来还会加入480GB版本，统一享受3年质保服务，不过具体的产品售价暂未确定，预计和同容量的Vertex 3维持同一水平。

    年后Intel迅速填补上新的SSD 335 180GB版本，产品继续采用了SandForce主控，并采用了Intel最新的20nm MLC闪存芯片。

    Intel SSD 335 180GB产品继续采用了SandForce SF-2281主控，搭配全新的20nm MLC闪存芯片，最大持续读写速度分别为500MB/s和450MB/s，4KB随机读写分别为42000 IOPS和52000 IOPS。

    SSD 335 180GB综合了性能和容量双重优势，另外在性价比方面产品有望低于1美元/GB的水准，而目前美国新蛋商城给出的价格刚好是180美元，这个人民币为1122元。■<