驾驭20纳米 OCZ VERTEX450 128GB测试

    泡泡网固态硬盘SSD频道7月2日 固态硬盘SSD是提高PC运行速度的一大利器，高性能用户的必然之选。随着存储技术的不断发展，SSD目前的境况笔者更愿意用“微妙”来形容：一方面，SATA接口的2.5英寸标准SSD产品速率早已到达了SATA III界面的极限，另一方面，芯片制造商在不断推进新工艺，已牺牲芯片耐久度的代价换来更低的生产成本。

    芯片耐久度虽然随着制造工艺的提升而降低，但是产品寿命却不可以随之减少，如果一块SSD的寿命在正常使用下只能达到1~2年，是大部分用户都无法接受的，也会导致广大消费者对SSD产生不信任的心理。于是，我们看到了厂商普遍采用降低性能的方式来保证新工艺芯片下的SSD寿命，原理很简单：芯片的总写入量是固定的，我限制了它的速度，自然就会提高寿命。市场上的诸多产品也印证了这一点：SSD的价格不断走低，但是性能却出现不升反降的现象。

    听起来似乎有点“坑爹”，随着芯片工艺的提升，为了保证产品寿命，我们却不得不接受性能上的下降。然而，芯片工艺的状况，是无法改变的，决定权尽掌握在Intel、三星、Mircon等巨头手中。唯一的突破口就在SSD控制器和固件方面了，是否有厂商可以改善这样的局面呢？答案是一定的，一向走在业界前沿，以勇于开拓闻名的OCZ就试图挑战20纳米的极限，这款产品就是VERTEX 450。它的全部使命，就是打破20纳米芯片的局限性，带来更好的性能和寿命。

    OCZ VERTEX450从产品名称和外包装上来看，与VERTEX 4都很相似，很容易让人看作是VERTERX 4的升级版。

    不过看到产品实物就会发现，VERTEX450的外壳已经更换为镁铝合金的全金属材质，不仅让产品更具质感，在散热、抵抗外力等方面都有更佳表现。

VERTEX450的厚度仅有7.5mm，更加纤薄

PCB：正中间的INDILINX主控，配备Micron 20纳米闪存

    文章开头已经说过，SSD目前已经过度到20纳米制程，在良率、耐久性方面依然存在问题。不过这些并非是无法克服的。如果有一款写入机制更先进的主控，就可以有效提升性能的同时保证产品寿命。

    在一款优秀的主控制器之下，可以通过写入机制的改良从而提升性能并保证产品寿命。OCZ Indilinx Barefoot 3 M10主控采用双核架构，内部包含一颗ARM处理器和OCZ Aragon RISC处理器，对于校验、写入管理等工作更加擅长。

OCZ VERTEX450的全部特性

    测试平台配置：

    这次测试选择了市场上常见的20纳米ONFI闪存芯片128GB SSD，除了OCZVERTEX450之外，还有Crucial M500、Hynix SH910和影驰ThunderGT。

Windows 7下格式化后容量

    首先是持续读写性能：

    持续读写指标，VERTEX450整体表现最强。其实这项测试并闪存芯片本身素质达不到更高水准，而是考虑到产品寿命而进行限制，艺高人胆大，OCZ凭借更先进的主控，自然可以做的更激进一些。

    随机读写性能：

   其实几款产品的颗粒基本属于完全相同的芯片，那么随机读写就完全是在考验主控能力了。

    综合分数和实际应用测试：

最终综合总分，OCZ VERTEX450当仁不让拔得头筹

    相对于基准测试，我们可以看到实际应用中产品之间的差距并不算大，不过在价格相近的情况下，挑选更好一点的产品是理所当然的。

    可以看出，VERTEX450在20纳米ONFI闪存产品中，是性能较好的一款，足以显示出OCZ主控的实力，Indilinx Barefoot主控目前也没有其他产品在使用。过去，芯片往往是主宰产品性能的最重要环节，不过如今我们看到，就算是芯片制造商也无法完全驾驭新工艺下的20纳米芯片，这时主控的作用会显得比过去更为重要。OCZ VERTEX450并不是市场中最好的产品，不过在同价位、同类型产品中，它确实要高人一筹。■<