频率直上3GHz 下代ARM将采用20nm工艺

    泡泡网CPU频道7月9日 目前的ARM处理器还处在40nm向28nm工艺升级的状态，已知的性能最强、频率最高的ARM处理器是骁龙800,频率2.3GHz，TSMC 28nm HPM工艺生产。不过下一代ARM处理器将使用20nm工艺，频率可达3GHz，频率提升30%，而功耗会降低25%。

    Fudzilla报道称，为了制造出更先进的处理器，下一代ARM至少要使用20nm工艺生产。在20nm节点，TSMC承诺新工艺制造的处理器速度可提升30%，功耗降低25%，同时晶体管密度比前代高1.9倍。

    30%的速度提升意味着下一代ARM处理器最高频率可达到3GHz左右，而更高的晶体管密度意味着未来的ARM处理器可集成性能更高的GPU，也许这就是NVIDIA未来Kepler架构的Tegra 5（代号Logon，金刚狼本名）要等到20nm节点的原因吧。

    功耗降低25%意味着未来的SoC处理器的续航时间提升25%（原文如此，这么算肯定不对，处理器功耗不等于设备功耗），目前有关智能设备最大的抱怨就是续航时间，消费者不妨将目光放在未来的20nm处理器上。

    功耗降低、性能提升也使得ARM面对X86领域的Intel、AMD有更强的竞争力，特别是在平板及可折叠设备领域。只不过Intel也不是省油的灯，TSMC的20nm工艺要等到明年才能量产，而Intel在明年底就会上马14nm工艺的Atom处理器了，而AMD在2014年甚至有可能用上GlobalFounderies公司的14nm-XM工艺了。■