教程:内存稳定DDR600! 一步步教你设
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目前市场上DDR500内存已经相当普及,很多内存都可以较为轻松的超频到DDR600频率下,市售的内存很多都标著着DDR600,但是DDR600可不是买回来插在主机板上开机就会变成DDR600,也并不是每种平台皆可达到DDR600甚至更高,我们以DFI nf4平台為例教大家如何设定DDR600。
有些网友经常提问到“为什么购买的内存是DDR600的却无法使用在这个频率下”或者是“我的内存明明能够稳定超频到DDR600下使用,但是现在为什么无法同步了”难道是厂商在作假?肯定不是。
在教程之前我们有必要先说明要想同步DDR600你需要什么样的条件,如果这些条件你没有具备那么在之后的主板设置中那是没有作用的。
条件一:具备一颗良好体质的处理器,具备外频运行在300MHz频率下的能力。如果挑选,请看我们近期的行情导购 《AMD盒装全攻略 A64/E3好超编号大公开》。
条件二:内存能运行在DDR600下 。比如三星出品的TCCD内存颗颗粒就能很轻松运行在DDR600频率下。
条件三:主板能提供稳定的300MHz外频的支持。
如果你的平台具备了以上三个条件,那么下面我们就来教大家如何让CPU,内存,主板这三者协同工作,让内存同步在DDR600下。
DFI NF4 Ultra-D
接着DRAM+0.03V可开可不开,在范例中是未开的,因为开机后要先测试MEMTEST86+所以这个选项也请打开(MEMTEST86+为测试内存稳定的软件)。
接著是记忆体参数设定。CPC当然是1T,所以请ENABLE或AUTO,顺着下来CAS设2.5(不会比设3难的)接著4-8-4。
当测试完成一切稳定时可以试着调整到2.5-4-7-3重新测试一次(如不够稳定请酌量对内存进行加压)。接著是2-2-2-3的设定当测试完成一切稳定时可以试著调整到2-2-1-2重测一次(如不过记忆体电压酌量加压)
Refresh period请照著我设会成为100 1.95us(浮点运算较快)。设置DRAM Bank 选项为Enable值。
接著来看DRAM Drive strength跟DRAM Data Drive strength,这两项设置关系到CPU内存控制器兼容性的好坏,也关系到整体平台的稳定性。
在一般情况下如果DRAM Drive strength设的越高,进作业系统会越稳定,但设置较低的话,那么跑MEMTEST会更稳定。所以有些人会在跑MEMTEST86+测试时让DRAM Drive strength设置为5或更低,以便很顺利完成MEMTEST86测试,但是以这样的设定别想顺利进入OS桌面或完成PI测试。
接着请看MAX Async Latency与Read Preamble Time这两个选项,这里设置为8和5,建议也可以设auto,在auto时会随着外频的升高而降低这两项参数,当然8-5是肯定好的。
接就是Dynamic counter选项设为enable,enable是严谨的,当你过不了测试又加电压无效时,请试着关掉Dynamic counter再测一次,还有DRAM Response请务必设fast。
R/W Queue Bypass 设16x 就ok(不是很重要) ,By Passmax设定为7x(4x较严) 。
设定完成请按F10对BIOS存档,这个时候一开机会进入MEMTEST86+画面,请直接进入TEST5与TEST8,其他暂时无须测试(没什么作用)。进入步骤请按C-1-3-5-0会进入TEST5。
以上是示范跑PASS3的。这个时候我们放弃PASS3测试,(上图测试中处理器已经超频至3GHz)接著进入TEST8,进入步骤请按C-1-3-8-0就会进入TEST8。
当测试到PASS1的时候我们就可以不用再测试了(上图CPU频率为2.7GHz)。接著要作进入桌面的SP2004测试。
电压加到2.8V并且持续测试中,跑SP2004 Blend stress,此时 CPU 和RAM. Priority设定为第9级别。已经经过了47分钟的测试,平台表现稳定。测试请看下图。
以上是我们设置BIOS让内存同步在DDR600下的测试。希望对你设置主板同步DDR600下能有所帮助。
最后调整完毕了,我们把SP2004关掉跑了一个3DMark2001过过癮,分数还不错哦,36903分!看来同步DDR600在性能的提高上还是有不小帮助的,希望我们的教程对你有所帮助有所提高,让你手上的硬件得已发挥最大性能!大家记得注意好散热哦,最后祝大家成功!
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