工艺超三星 美光年底出货16nmTLC颗粒

    泡泡网SSD固态硬盘频道4月11日 早在去年中就有很多厂商准备推TLC闪存的固态硬盘，但是真正量产、上市的只有三星一家，推出了840、840 Evo两代TLC闪存的固态硬盘。其他厂商对TLC闪存仍是观望态度，不过美光今年底也要开始出货TLC闪存了，还是更先进的16nm工艺，Q4季度还会推出3D堆栈的NAND闪存。

    美光最近谈到了他们的存储业务的一些未来计划，首先是TLC闪存，预计今年Q4季度开始出货16nm TLC闪存，主要用于售价较低的消费级固态硬盘产品中。初期的TLC闪存固态硬盘应该会很少，成本、可靠性及耐用性都还需要观察。

    当然，TLC闪存历来争议就很多，美光的16nm TLC闪存上市之后，有关MLC与TLC闪存使用寿命的争议还会更多。

    另外，美光计划在2015财年、也就是今年Q4季度推3D NAND，竞争对手三星去年就已经推出了V-NAD闪存了，也是3D堆栈封装的。美光对自己的3D NAND的进展很满意，不过出样时间还要等等。美光表示已经有很多合作伙伴对3D NAND闪存表示感兴趣，但是没有透露具体的厂商名字。

  还有就是DDR4内存，美光此前已经宣布了开始量产DDR4内存，Intel今年Q3季度会推出首款支持DDR4内存的Haswell-E处理器以及X99主板，这对DDR4内存是一个有力的推动。■