- 博帝展示全球首款四通道DDR3内存套装
泡泡网内存频道6月2日 著名存储厂商博帝在今年的Computex大会上产品层出不穷,产品遍布DDR3内存到SSD存储。比较引人注意的是,博帝展示了全球首款四通道DDR3内存套装,完美兼容将于四季度发布的Sandy Bridge-E处理器平台。 体验平台 5款DDR3内存 覆盖双通道到四通道 VIPER XTREME DIVISION4四通道套装 VIPER
张伟(编辑) · 2011-06-02 00:46 - Computex 2011:海盗船区多款存储产品
泡泡网内存频道5月31日 Computex大会已经开幕,做为高端DIY配件厂商,海盗船在这次展会上将展示自己的全新概念产品:Corsair LINK。 Corsair LINK可以为海盗船产品提供一个控制系统,通过这个系统玩家不仅可以监控电脑主机的散热系统、电源、内存等,还能自行调整主机中散热风扇、水泵等运行参数,达到心中理想的运行效果。 海盗船新款
肖冠丁 · 2011-05-31 08:15 - 2400MHz 海盗船发布全球最快DDR3内存
泡泡网内存频道5月27日 被国内玩家称为“红梳子”的海盗船Dominator GTX系列内存将迎来一款新的产品,双通道8GB套装,工作频率为2400MHz,而延迟仅仅只有9-11-10-30,它将成为全球最快的双通道内存。 海盗船的内存产品主管Giovanni Sena表示:“新的8GB套装将帮助玩家挖掘出内存的极限性能。这些内存都是记过仔细的筛选、测试,玩家们借助它可以实现
张伟(编辑) · 2011-05-27 09:57 - Super Talent发布入门级USB 3.0 U盘
泡泡网内存频道5月25日 一直主打中高端市场的Super Talent今天发布了一款入门级USB 3.0 U盘,它们都采用了低价的MLC NAND闪存。 Super Talent新发布的USB 3.0 U盘采用了无帽设计,型号为USB 3.0 Express DUO 2CH,读写速度分别为67MB/s和23MB/s。尺寸为80.82 x 20.62 x 12.1mm,提供5年
张伟(编辑) · 2011-05-25 00:06 - 宝剑配英雄!《仙剑5》典藏版U盘发布
泡泡网内存频道5月24日 4月28日发布,7月7日上市,在等待《仙剑奇侠传五》发布的日子里,《仙剑5》官方发布了首个周边实物照——“《仙剑奇侠传5》典藏U盘”正式对外发布。 《仙剑奇侠传5》典藏U盘采用纯铜材质打造,容量4GB,大小为11 x 2cm,重约75克。该U盘为《仙剑5》豪华包赠品之一,限量发售,极具收藏价值。 《仙剑5》豪华包赠品U盘实物 ■
张伟(编辑) · 2011-05-24 00:08 - 仅1.35V 威刚推出超低电压版DDR3内存
泡泡网内存频道5月21日 与其它产品一味追求高频率不同的是,威刚近日推出了一款超低电压版4GB DDR3 1333MHz内存套装(单条2GB),电压低至1.35V。 这款内存隶属XPG+(Xtreme Performance Gear)游戏系列内存,散热片采用了红色设计,为了达到低电压,采用了高质量PCB,极限性能模式(XPG)下时序为8-8-8-24,而游戏情况下时序为9-
张伟(编辑) · 2011-05-21 00:14 - 航海造型 海盗船发布Voyager系列U盘
泡泡网内存频道5月20日 近来USB 3.0的U盘创新不断,作为存储大厂,海盗船今天也推出了一款别具风格的USB 3.0闪存,外形酷似航海模型。 正如它的外观,这款闪存的名称为Flash Voyager USB 3.0,可以提供4倍于USB 2.0的速度,能够有效节约用户存储数据的时间。Flash Voyager USB 3.0家族都采用了相似的外观设计,这包括防滑橡胶外壳,
张伟(编辑) · 2011-05-20 09:52 - 100MB/s 金士顿推出旗舰USB 3.0 U盘
泡泡网内存频道5月19日 存储设备厂商金士顿今天面向高端市场发布了一款DataTraveler Ultimate 3.0 G2闪存,读取速度到达100MB/s大关,而写入速度也达到了60MB/s。 DataTraveler Ultimate 3.0 G2的外观设计和上代相同,尺寸为73.7x22.2x16.1mm,USB 3.0模式下读取为100MB/s,写入70MB/s,而
张伟(编辑) · 2011-05-19 10:00 - 炫酷跑车造型 帝盟发布新款SR系列U盘
泡泡网内存频道5月16日 著名存储厂商今天发布了两款新的闪存分别为SR1和SR3,外观酷似跑车,接口分别为USB 2.0和USB 3.0。 据悉这两款U盘将在Computex 2011上亮相,它们都采用了相同的设计,只不过接口不同,SR1为USB 3.0接口,SR3则为USB 2.0接口。 采用USB 3.0接口的SR1官方声称可以达到50MB/s的读写能力,完
张伟(编辑) · 2011-05-16 00:47 - Toggle DDR2接口 三星研制快速NAND
泡泡网内存频道5月13日 早在一年前三星和东芝就开始着手研发DDR2接口NAND,今天三星正式宣布,已经研制成功,并将在64Gb(8GB) MLC(multi-level cell)首次使用Toggle DDR2接口。 另外这些NAND将采用20nm工艺制造,采用Toggle DDR2 64Gb NAND Flash较现在的SDR NAND Flash信息处理速度40Mb
张伟(编辑) · 2011-05-13 00:05 - 金士顿发布全新HyperX PnP高性能内存
泡泡网内存频道4月26日 内存厂商金士顿今天又发布了一款新的骇客系列产品--HyperX Plug and Play (PnP),这款内存主要面向极限高端用户。 值得一提的是,这款内存专门针对Sandy Bridge处理器,当被安装在Sandy Bridge平台上时,内存会自动通过程序达到更快的速度,为1600MHz或1866MHz。 内存模组使用了JEDEC兼
张伟(编辑) · 2011-04-26 09:56 - 双路至强系统大破3DMark全家世界纪录
泡泡网内存频道4月25日 昨天,世界著名超频玩家Vince“K|ngp|n”Lucido和Illya“TiN”Tsemenko成功刷新了3DMark 11和3DMark Vantage的世界纪录。 海盗船三通道Dominator GT内存 此次,两位玩家破世界纪录的平台配置包括:EVGA Classified SR-2主板、两颗Intel Xeon X5690处理器、四张EVGA
张伟(编辑) · 2011-04-25 09:31 - 广颖电通推首款随温变色USB 3.0闪盘
泡泡网内存频道4月21日 日前,储存设备厂商Silicon Power发布了新款U盘Blaze B10,其采用USB 3.0接口,而且是业界首款会根据温度变化改变外观颜色的产品。 Blaze B10尺寸72.4x17.4x10mm,重9.5g。采用USB 3.0接口,向下兼容USB 2.0/1.1,接口可靠性插接10000次。容量8GB、16GB、32GB,最高读取速度70M
张伟(编辑) · 2011-04-22 01:30 - 东芝Intel发布全球最先进19nm NAND
泡泡网内存频道4月22日 就在上周,英特尔与镁光(IMFT公司)宣布其最新的20纳米NAND工艺技术,今天东芝透露,它已经生产采用19nm技术NAND闪存芯片。 东芝的19nm NAND采用每单位双位元结构,单颗芯片可达64Gb(8GB),号称是“世界上最小”,因此至需要118 mm2就可以达到IMFT的20nm 8GB NAND。 采用19nm 8GB闪存芯片将于本
张伟(编辑) · 2011-04-22 00:07 - 瑞晶成功试产尔必达30nm 3GbDDR3芯片
泡泡网内存频道4月21日 尔必达在台湾的子公司瑞晶电子公司宣布成功试产了尔必达的30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品,这次试产尔必达30nm制程产品的结果达到了公司预期的期望值,瑞晶并称公司将按计划进行制程的切换工作。 新的2Gb DDR3内存芯片采用的是尔必达开发的30nm制程技术制作,这种制程功耗低且产出效率高.相比采用40nm制程制作的芯片,每片晶圆可多产出45%%
张伟(编辑) · 2011-04-21 12:46 - 借助三星4Gb颗粒 HP服务器内存达2TB
泡泡网内存频道4月20日 2TB的硬盘存储可能不算很突出,但是2TB的RAM绝对是相当的震撼,现在借助三星的4Gb单颗内存颗粒,HP服务器可以提供高达2TB的内存容量。 内存容量对于主流的消费市场来说可能不需要很大,能够满足基本的需要就可以了,像现在主流的PC搭配4GB的内存,即使对于极端的爱好者可能会使用 12GB, 16GB或是24GB的内存,不过目前大多数的游戏是不会超
张伟(编辑) · 2011-04-20 10:36 - 芝奇发布全球最快8GB DDR3双通道内存
泡泡网内存频道4月20日 G.Skill今天宣布,正在开发并即将推出世界上最快的8GB DDR3双通道内存套装,运行频率高达2300MHz(PC3-18400)。 该套装隶属于芝奇的Ripjaws-X系列产品,由两条容量4GB DDR3 DIMM内存条组成,额定频率达到2300MHz,时序为9-11-9-28-2N,电压1.65V。由于运行频率高、发热量大,两条内存不但安装了
张伟(编辑) · 2011-04-20 08:35 - Intel、镁光联合开发出20nm闪存工艺
泡泡网内存频道4月15日 Intel、镁光今天联合宣布了最先进的20nm工艺闪存。 20nm工艺依然由Intel、镁光联合投资的IM Flash Technologies(IMFT)负责制造,可以生产出容量达64Gb(或者说8GB)的MLC NAND闪存颗粒,而且核心面积仅仅118平方毫米,相比25nm 8GB NAND闪存减小30-40%。 Intel宣称,
张伟(编辑) · 2011-04-15 09:00 - 尔必达发布30nm 4Gb DDR2 Mobile RAM
泡泡网内存频道4月7日 尽管受到地震影响,一些工厂出现停工现象,但日本存储芯片大厂尔必达的新品发布进程并未受到影响。今天,他们发布了针对智能手机、平板机的新款移动存储芯片产品,基于30nm工艺的DDR2 Mobile-RAM。 新款Mobile-RAM单颗容量为4Gb(512MB),频率DDR2 1066MHz,电压1.2V。相比40nm 2Gb产品,新品30nm 4Gb颗粒
张伟(编辑) · 2011-04-08 10:54 - 24nm工艺 东芝发布SmartNAND系列产品
泡泡网内存频道4月7日 虽然各个日本企业在地震中都有所损失,但仍然不能终止他们前进的脚步。日前,东芝正式发布了基于24nm制程技术的SmartNAND系列产品,进一步扩大了其NAND闪存的产品线。 东芝SmartNAND系列闪存芯片采用了24nm制程工艺,使用传统NAND接口,并在内部封装了ECC错误校验控制芯片,可有效降低ECC校验时造成的系统负担。 该系列闪存芯
张伟(编辑) · 2011-04-07 10:20