- DRAM模组厂亏损扩大 持续调降库存!
因为供过于求所造成的DRAM报价大跌,使得上游DRAM制造厂直接面临了亏损扩大、现金净流出的生存保卫战。虽然下游模组厂压力不若上游厂来得大,不过为了保留资金,模组厂也纷纷持续调降库存,除了创见降幅稍小外,包括威刚及劲永,第三季末库存分别较第二季末大减33%%及44%%。 威刚董事长陈立白早在年初就喊出,DRAM制造厂必须要减产,才能让DRAM报价有回升的机会,不过当时并没有DRAM厂
吴愧 · 2008-11-18 08:02 - 内存减产发酵 明年1GB均价将反弹六成
DRAM厂商减产效应本月可望发酵,产业景气有机会“融冰”。分析师表示,明年1Gb全年均价若站上1.6美元,对成本结构良好的DRAM厂商而言,成本有机会下降到1.8美元以下,亏损大幅降低,营运现金压力将会大减。 台湾DRAM厂商明年农历年前手中可转换公司债一一到期,加上DRAM价格低迷,现金压力越来越大;但多家DRAM厂商及交易商预期,明年首季DRAM价格有机会止稳、且逐步向上反弹
吴愧 · 2008-11-10 08:05 - 使DDR3更好加压 新的电压标准为1.35v
根据JEDEC的规范标准,通过提升硅晶圆芯片制造工艺而降低核心IO电压以提升性能的DDR3内存模组会推出称作为DDR3L的低电压版本内存规范,新标准规定电压为1.35v,比较当前的1.5v标准还要低,这将会在绝大多数主流产品中节能20%%。 新内存将会和当前现存的1.5v版本DDR3内存相互兼容,但前者并不会受到原有规范的制约,所有基于JEDEC规范的DDR3内存模组都会配备SPD(s
吴愧 · 2008-06-23 05:53 - 08年产业低迷! 内存芯片厂商出现赤字
市场调研机构iSuppli的最新报告显示,2008年第一季度DRAM内存芯片产业继续一片低迷,各大厂商的境况都非常糟糕。 在这种情况下,各厂商纷纷压缩产能,只有业界龙头三星电子大规模增加产量,并取得了一定的成果:季度销售收入18.14亿美元,环比减少6.2%%,但低于全球7.4%%的平均水平,而且同期全球份额增加了0.4个百分点,达到30.6%%。iSuppli指出,虽然三星此举有利于提
张柏松 · 2008-05-16 06:51 - 07市占排行:金士顿稳居宝座 多数都降
近期,iSuppli针对2007年DRAM模组厂的统计报告出炉,让市场相当惊讶之处在于,金士顿市占率2006年从18.1%%,大幅跃升至27.5%%。 由于2007年全球独立品牌DRAM模组的营收规模约81亿美元,相较2006年营收规模122亿美元还减少33.5%%,代表金士顿的市占率成长皆来自所有竞争对手的市占率减少的部分,可见2007年这波DRAM崩盘潮下来,除了宏亿、勤茂纷纷提前毕业
吴愧 · 2008-05-12 08:06 - DRAM上演纳米战 奇梦达将推58nm工艺
据奇梦达亚太区计算类存储产品部市场经理吴至中介绍,目前70nm工艺已占奇梦达70%%产能,今年将会导入58nm制程,然后会不断向46nm、30nm挺进。吴至中透露,70nm是奇梦达DDR3产品的工艺起点,但低功耗的实现能力则是奇梦达的技术优势。 据悉,英特尔将在2008年中,推出业界首台拥有省电、高性能的DDR3内存之迅驰移动运算技术平台。Intel对此的评价是,即将上市的Intel迅
张柏松 · 2008-05-09 00:10 - 库存比重较高 一线DRAM厂将获利更多
DRAM经过一年多来的低档整理之后,从4月开始陆续出现反转迹象,现货价及合约价纷纷翻扬,第二季DRAM价格在筑底完成后,随着需求回温,报价续涨机率不小,模组厂可望回冲之前的库存跌价损失,至于部分库存比重较高的一线厂更将有溢价获利。 第一季DRAM上游厂产能供给状况,虽然日本厂尔必达第一季产出高达33%%,不过韩国海力士调整产能,单季DRAM销售率仅成长5%%,欧洲厂奇梦达第一季销售率更为
吴愧 · 2008-05-07 10:54 - 专访:金士顿内存产品经理和人皇SKY
在2008年4月23日,金士顿签约WE战队的发布会活动之后,我们对金士顿大中国区内存产品经理冯若昊和著名选手Sky进行了采访,采访的主题就是双方的合作。根据冯若昊的介绍,金士顿虽然在欧美曾经有和游戏战队合作过,不过在中国区还是第一次。以后会考虑跟联盟硬件厂商以及游戏厂商合作推广。他表示金士顿的HyperX系列是针对游戏发烧友的产品,品质在世界范围内也是一流;而WE战队在游戏玩家的领域影响力
肖冠丁 · 2008-04-24 07:06 - 点燃X激情 金士顿签WE战队推玩家内存
说到World Elite(WE)战队,可能有的朋友还不是很熟悉。可是提到人族天王SKY,玩WAR3的朋友几乎没有不知道的,SKY就是WE战队的主力队员之一。WE成立于2005年4月,是国内专业电子竞技网站Replays.Net所属的职业电子竞技战队。目前主要的优势项目还是《魔兽争霸3》,WE也是中国国内唯一一支参加WC3L职业战队联赛的队伍,成立之初便摘得2005WCG全球总冠军桂冠,也
肖冠丁 · 2008-04-24 06:03 - CeBIT 08:海盗船推出多款高端新产品
此次CeBIT展会上,海盗船向我们展示了旗下一系列产品,从闪盘到DDR2、DDR3内存,让我们看到一个拥有强大技术实力的存储厂商。海盗船DDR3内存 感谢泡泡网资深网友陈言提供现场照片!
吴愧 · 2008-03-06 08:59 - CeBIT 2008:芝奇展示苹果笔记本内存
在本次CeBIT 2008大展上,芝奇针对各领域推出了多款内存,大家都知道芝奇内存都是以专业超频内存产品为主,品质相当出色。就连近期公布的专为苹果笔记本设计的内存条也在展会上出现,下面我们一起来本次展出的产品。 此次展出的苹果笔记本内存包括1GB、2GB单条,1GB×2套装,1GB+2GB套装和2GB×2套装几款,频率都为667MHz,延迟5-5-5-15。 芝奇DDR3内存频
吴愧 · 2008-03-05 16:09 - 超频打开市场 OCZ正式进入中国发布会
近期,上海林回实业有限公司(SVETCO INC.)正式获得OCZ科技开创股份有限公司在中国的代理授权。从3月初开始国内的玩家可以购买OCZ的产品。 就在昨天,也就是3月3日OCZ品牌与上海林回实业有限公司合作,在添彩大酒店召开中国总代理新闻发布会,宣布正式进入大陆市场,从此OCZ品牌在中国市场就有完整的渠道,销售旗下所有产品。玲琅满目的产品 OCZ不管是内存还是在内存散热片的
吴愧 · 2008-03-04 11:23 - Vista降价拉动内存需求 DRAM有望反弹
只从微软的Vista出来以后,带动了内存的发展。上周微软宣布调降新版视窗作业软体Vista零售价,最高降幅达48%%,另外也同时推出Vista修正版SP1。业界推估,微软降价效应将带动另一波PC换机潮并提高Vista的渗透率,可望大举刺激DRAM市场需求,带动DRAM价格止跌反弹。 DRAM主流规格DDR2 512MB ETT现货价目前约在0.9美元附近,1GB规格则在1.8美元左右
吴愧 · 2008-03-03 08:29 - OCZ正式登陆中国 中国代理授权已确定
OCZ内存一直是超频爱好者梦寐以求的超频极品。它优异的超频性能、较低的延迟一直是我们追求的目标。同时配合其独特散热概念,受到玩家一致好评。 近期,上海林回实业有限公司(SVETCO INC.)正式获得OCZ科技开创股份有限公司在中国的代理授权。从3月初开始国内的玩家可以购买OCZ的产品。 林回公司获得代理权以后,将在3月3日上海办新闻发布会,想要了解更仔细的情况可千万别错过。
吴愧 · 2008-02-22 09:01 - 镁光出最快DRAM样品 每秒能传输400MB
美光科技公司今天宣布,它将向客户和主要推广者提供业界最快的512兆比特(Mb)的行动DRAM器件样品,以用于功能丰富的最新行动电子设备。 随着行动应用增加了更多的计算和多媒体功能,更快,性能更好的记忆体成为优化性能的首要选择。而美光的512Mb移动DRAM可提供高达200MHz的最大时钟速度,每秒能够传输400Mb的资料,从而满足当今最先进的行动设备的需求。 除具有符合J
吴愧 · 2008-02-18 07:59 - 英飞凌授权130nm嵌入式闪存技术给IBM
德国infineon最近宣布,将会授权130纳米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM,而IBM方面预计会在未来对应产品中使用该制程技术生产的产品,并提供对应服务,此列芯片预计将会在IBM北美工厂进行制造。 infineon的130纳米嵌入式闪存技术早在2006年就已经在进入量产阶段,其主要被应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划,IBM将会在其位于北美的vermont(佛蒙
吴愧 · 2007-12-27 05:34 - 07年上市 08年笔记本全面标配4GB内存
大容量内存无疑已经成为消费者们关注的焦点,从2GB 667到2GB 800,但是这些都是对于台式机来说的,目前市面大容量笔记本内存还很少,但是对于笔记本来说仅有的两根内存插槽就显得相当珍贵,如果想上4GB跑Vista,就非得买两根2GB容量的内存不可。根据产品规划,包括戴尔,惠普,以及东芝已经确认会在2008年Q1开始推出配置4GB显存的最新款笔记本电脑产品,而根据业内分析认为,这一趋势可
吴愧 · 2007-12-27 05:18 - 要减产还远!各大DRAM厂还没走到绝路
DRAM由于产业过剩使得价格一次次崩盘,导致内存现货价格低廉,使得市场极为低靡,大家都在议论DRAM产业只要减产就会有救的说法,尤其传出三星、海力士、奇梦达与台厂,都因难耐严重亏损而有减产打算,实际上并非如此。 早期DRAM崩盘是在2001年,当时记忆体颗粒的最低价跌到0.8美元后随即反弹,但至今颗粒价已经跌到0.78美元以下,而且若以2001年与今年的价格作比较,虽然都是0.8美元
吴愧 · 2007-12-19 09:17 - 工艺大变迁 DRAM首次进入54纳米级别
随着功耗逐渐被重视,处理器宣布也进入45nm级别,使得处理器性能更强、功耗更低。紧接着记忆体业也有好消息传出,Hynix宣布正式推出54nm工艺1Gb DDR2 DRAM记忆体,并得到Intel的认证许可,这也是记忆体业内首次进入50nm工艺技术的级别。 Hynix表示,54nm工艺的记忆体晶片将在明年下半年投产,主要应用于生产DDR2和DDR3记忆体晶片,容量为1Gb、2Gb,同时
吴愧 · 2007-11-23 05:55 - 40nm嵌入式DRAM技术用于消费电子产品
NEC电子欧洲分部最新发布两项新技术,主要面向采用40纳米制程技术,应用于system on chip设备平台的嵌入式DRAM产品。NEC的UX8GD eDRAM技术所支持的芯片运行频率最高可达800MHz,并支持低功耗表现能力,这类芯片主要设计应用于消费电子类产品,比如DV,游戏机等。XBOX处理器 NEC UX8LD eDRAM芯片技术则采用用于降低功耗的窄边线封装设计,相比目前
吴愧 · 2007-11-23 05:45