根据《韩国时报(Korea Times)》的报导，三星电子(Samsung Electronics)自今年3月以来已累计裁员超过1600人。该报导指出，三星在今年8月宣布了一系列组织重整计画以削减成本，包括鼓励员工自愿退休以及企业内部的改组。     据了解，三星此举是为了因应DRAM市场严重下滑和记忆体市场低迷不振。今年以来三星的负面消息不少，包括该公司的几位高层，已认罪参与共谋在全球市

    据国外媒体报道，美国半导体产业协会（SIA）表示，近期内半导体市场不大可能出现衰退。它认为今年全球芯片的销售额将增长3%%，在随后三年中的增长速度会更高一些。    SIA表示，它预计全球的芯片销售额将由去年的2477亿美元增长至2571亿美元，增长速度低于今年年初时预期的10%%。  6月份，SIA将今年芯片销售额的增长速度预期下调到了1.8%%，主要原因是几种关键市场的低迷，其中包括微处理器

   随着科技与信息的发展，硬盘、内存都朝大容量方向发展。近期，美光宣布了业界首款2GB DDR3 DRAM颗粒研发成功，应用该颗粒，内存厂商可以制造出8GB或16GB的服务器内存条，或4GB容量的台式机、笔记本内存。采用镁光D9颗粒的内存    此款产品商用投产预计在2008年第一季度完成。该颗粒使用78nm制程，数据传输率达到1333Mbps，电压1.5到1.8伏。根据IDC的预计，到明年年底

    中国国际通信设备技术展览会起源于1982年，多年来与中国经济和信息产业持续、快速的发展同步进行，如今已成为亚洲规模最大、最具影响力的世界品牌的信息通信展览会。国际通信展历年来都吸引数十万信息通信领域的专家学者、决策人员、工程技术人员、采购商、运营商等前来参观。展会将会展出通信设备技术领域一年来的最新技术和卓越产品，并且每年都会吸引各大通讯信息、移动存储制造商前来参展，此次金士顿参展的产品覆

    NAND Flash淡季行情走弱，继记忆体晶片龙头厂三星认为本季NAND Flash价格将下跌15%%左右后，第二大厂海力士（Hynix）昨日也认为，NAND本季将面临供需面进一步修正。两大厂同时看淡NAND Flash市场趋势，概念股群联（8299）、劲永（6145）、创见（2451）、威刚（3260）等，恐首当其冲。    NAND Flash价格9月起走弱，向下修正逾两成。外资圈近期对

    DDR3内存越来越多的出现在消费者面前，不管是厂商还是消费者都非常重视、关注DDR3内存。近期美国利基型DRAM厂芮博士（Rambus）宣布推出业界标准DDR3记忆体控制器介面的解决方案，这个完全整合的硬体巨集功能晶片单元（hard macro cell）提供控制器逻辑与DDR3或DDR2装置间的实体层（PHY）介面，资料传输率最高可达1600MHz。Rambus执行长Harold Hug

    根据Rambus的说法，多核心处理器对内存带宽的要求最高可达100GB/s，而DDR2仅能提供12.8GB/s，DDR3也只有25.6GB/s，XDR架构则可立即提升到102GB/s，这说明XDR内存无疑是非常先进的。近日，尔必达宣布推出频率高达4.8GHz的Rambus XDR内存芯片，其性能可达当今业界标准DDR2内存的6倍。    尔必达的4.8GHz XDR DRAM芯片采用70n

    现在大容量内存渐渐普及，DDR2已经发展到2GB甚至更高的容量。近期日本内存厂商Elpida近日宣布成功开发出了首款1066MHz工作频率、2GB超大容量的DDR2内存颗粒。    这种颗粒将应用在他们的EDE2104ABSE和EDE2108ABSE两款产品上，都会在今年10月开始样品生产，量产则是可能在2007年底开始。全新的2GB DDR2颗粒采用更好的功耗管理技术，可以进一步缩小产品

    雷克沙对于拥有数码相机的用户都因该很了解，在存储领域拥有非常不错的成绩与知名度。其实美国存储品牌LEXAR（雷克沙）其实除了生产NAND闪存芯片产品外，还出产DRAM内存模组。    它旗下拥有产品品牌包括Lexar和Crucial，而Crucial公司近期最新发布首款Ballistix系列的DDR3内存模组产品。新产品采用78纳米制程的内存芯片设计，运行频率1600MHz，提供1GB容量

    近期，一份名为“BIOS and Kernel Developer''s Guide for AMD Family 10h Processors”(AMD 10h家族处理器BIOS和内核开发者指南)的文档里可以看到，K10 Opteron/Phenom处理器及其变种其实都集成了可以同时支持DDR2和DDR3的内存控制器，而且对DIMM的控制是由两个独立的内存控制器负责的。    只要有配备

    据近期一份市场调查报告显示，如果按照公司营收标准计算，内存制造商金士顿在全球记忆体模组供应商排行榜上名列第一。 据vnunet报道，此份调查报告由iSuppli提供，凭借产品利润率方面的优势，在2006年中金士顿公司创造了DRAM产品总销量22亿美元的新纪录，几乎比前一年提高了8亿美元。而根据金士顿宣布，其2006年营收高达37亿美金，创金士顿20年历史最高营收记录。    在得出这个可喜

    近期消息称，创见资讯推出高容量2GB DDR2-800 ECC Unbuffered DIMM内存模组，特别针对高阶电脑系统设计制造而成，可在传输时间允许侦测并校正错误。    创见指出，新推出的大容量 2GB高阶内存模组，可使用电子方法检查储存在DRAM中的资料是否一致，藉此降低系统运作时出错的风险，以提高系统的整体稳定性跟可靠性，适合需要极高运算效能的高阶个人电脑、各式工作站及伺服器。

    三星近期表示，已开发出采用60nm级制程地2GB DDR2 DRAM，并取得Intel认证，将于2007年底起导入量产。据了解，此次开发出的60奈nm2GB DDR2 DRAM的最快速度可达800Mbps，与80nm 2GB DDR2相比，性能可以最多提升20%%，更重要的是节能效率可以增强40%%。    三星还表示2007下半年起DRAM市场将由512MB转换为1GB，而三星也将透过此次推

    中芯国际在大陆的发展已领先群雄，先后完成了在 大陆东部和中西部中心城市的发展部署，形成华北、华 中、西南三足鼎立的态势。目前，中芯国际拥有的海外 工程及技术人员达1000多人，其中来自台湾500多人，美 国和加拿大约300人，日本、韩国以及欧洲部分国家约200人。使其成为大陆最大的晶片制造商，    近期，中芯国际在上海建成的12英寸工厂现已开始试产。这条世界领先的生产线将生产90纳米及以

    近期，IBM和TDK两公司宣布将携手研发大容量、高密度的MRAM，以推动MRAM（磁阻内存）的量产和市场推广。联合研发计划的重点是开发高容量、高密度的磁阻内存电路，他们将研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元。IBM公司与TDK公司联合研发计划为期四年，将在IBM公司和TDK公司的多个研究机构内进行，其中包括TDK公司在美国加州Milpitas市的研发中心。     MRAM

    韩国三星电子近期表示，将投资7.878亿美元升级记忆体晶片生产线，并提高产能。    三星电子为全球最大的记忆体晶片制造商，该公司在提交韩国证交所的文件中表示，该投资将在2007年内进行，以因应增长的晶片需求，并改善其成本竞争力。但是并没有透露进一步的详细计划，相信这一投资的实施肯定会影响存储现货市场的价格。

    近期，据业内的分析报告显示，今年的Q2 DRAM芯片市场持续淡季和非常平静的出货表现，以及平庸的财务报表是今年上半年DRAM芯片市场的形势。今年Q1的DRAM芯片出货量增长23%%，但是营收缺下滑24%%，在全球前十大DRAM芯片厂商中，尤其是包括nanya，powerchip，promos的营收下滑率竟然高达43%%。    而三星继

    近期Digitimes报道称，Rambus正在积极联络台湾DRAM厂商，采用自己的高速XDR内存架构，宣称整个内存业界低估了多核心架构对内存带宽的需求。    其实Rambus退出PC舞台之后，它又重新归来，开发出XDR DRAM新技术。和以前的RDRAM一样，XDR DRAM在性能上比DDR2存在压倒性的优势，问题是它要想成功还

    在最新一期的美国商业周刊（BusinessWeek）中，公布了最新的全球信息技术（Information Technology）百强公司的排名，来自中国台湾的南亚科技榜上有名，被评选为第42名。 南亚科技榜上有名，被评选为第42名    评选标准是根据标准普尔提供的有关IT企业的规模、增长率、盈利能力以及回报率等数据进行综合评分。本次入选IT百强的企业，其营业收入最低的为每年 3亿美元。本

    很多消费者初期对于DDR3内存都不抱以多大的期望，就像当初对待DDR2一样。但是不管怎样，各大内存厂商都看好DDR3内存，并积极筹备其产品的推出。近期，来自内存标准组织JEDEC的消息称，目前他们已经通过了DDR3标准的认可和制定。JEDEC表示相比于前一代的DDR2和DDR1内存，新的DDR3将具备更加广泛的应用范畴，同时在提高性能和降低功耗方面也会比前代产品更加突出。    JEDEC