为期三天的SEMICON TAIWAN 2006半导体材料暨设备展，今天起在台北展出。华亚科技总经理高启全在开幕论坛中指出，明年虽然有12寸厂投入，初期产能开出不多，加上8寸厂在明年底淘汰，DRAM供给仍处于吃紧，不会有供过于求的情形，加上微软Vista作业系统推出，增加需求，DRAM产业应该可以好到公元2008年。    高启全表示，DRAM厂从去年起开始转入12寸和90奈米制程，与DR

    韩系DRAM厂商供货短缺，加上欧系大厂导入90nm生产周期拉长，造成现货市场512MB DDR2大缺货，近两个交易日上涨14%%，创下一年来最大涨幅。512MB DDR2报价有些已超越7美元，市场预期茂德、力晶9月毛利率可望逼近40%%。    根据最新报价，512MB DDR2上周五大涨7.4%%，高点来到7.2美元，以现阶段国内厂商每颗平均成本3.5美元计算，已进入卖一颗、赚一颗的阶段。此外

    市场研究机构iSuppli日前发出警示，虽然DRAM产业现在有很多积极因素，但三星电子正大举增加其DRAM产能，这个举动可能会使该市场强劲的价格环境出现逆转。iSuppli推测，“三星可能将部分200毫米晶圆厂的产品线进行了调整，从生产NAND闪存变回生产DRAM产品。”“由于DRAM产生的边际利润比NAND闪存高，三星这样做可以谋取更高利润。因此，iSuppli预计三星2006年第三季度

    根据来自DRAMExchange分析报道，目前DRAM内存市场中的DDR2内存芯片颗粒低库存率导致颗粒价格不断上涨，达到九个月以来的最高水平，在过去一周时间内，DDR2 533MHz和DDR2 667MHz 512Mb内存颗粒价格分别上涨10%%,达到5.92美元和5.97美元。    根据调查报告显示，目前的DRAM芯片颗粒库存量仅仅只能够维持约1.92周时间，DRAM的紧缺程度达到200

    力晶、尔必达（Elpida）可望合资在台设厂，齐力开创新DRAM版图。据了解，力晶高层本周针对双方合资设厂，进行投资分析报告。初步规划双方持股各50%%，成立新公司，共同分享技术研发、产能；初期股本约百亿元上下，并以力晶中科十二寸厂让与新公司的方式加以落实，产能规模约四万至四万五千片。     此一备受DRAM业界瞩目的合资案，已进入紧锣密鼓阶段，力晶董事长黄崇仁、尔必达社长土反本幸雄更于七

    来自台湾DigiTimes的报道——近来DDRII无论是在现货价或合约价，均呈现同步上涨局势，尤其是DDRII 667上涨力道更是惊人，且更创下记忆体有史以来，首款推出1年的记忆体，售价仍高过原先上市价的纪录，DRAM厂指出，会有这样情况发生，在于DDRII 667已站稳市场主流规格，需求量未来将持续增加，再者，已有愈来愈多8寸厂因制程技术受限而无法继续量产DDRII 667，因此在僧多粥

    来自台湾DigiTimes的消息——DDR2推出已两年多的时间，然近几个月以来，DDR2颗粒报价仍低于DDR，这让许多DRAM厂百思不得其解，不过，这样的情况已经改观，目前DDR2于现货市场售价已超过DDR，象征DDR2已正式成为主流规格。    自DRAM厂开始推出DDR2至今，算起来也将近2～3年的时间，虽说过去刚推出之际，由于属于新产品，因此售价上高出DDR不少，再加上DRAM厂均明

    台某机构报告指出，上周DDR2现货价格大涨，DDR2现货价格也超越合约价格形成黄金交叉。9月起，DDR2价格将有向上翻扬的空间。    该机构指出，8月份起上游主机板业者开始感受到传统旺季来临，主要原因在于PC业者已开始为圣诞节旺季作准备。因此8月份主机板出货数字预估可望较7月份成长9.9%%，预计9月份主机板出货数字可望进一步上扬，进而带动DRAM现货市场需求。在通路商以及模组厂勇于追价下

    来自台湾DigiTimes的消息——DDRII需求不仅是在合约市场热络，在现货市场身价亦是水涨船高，近期记忆体模组厂纷抱怨，由于DDRII 667现货市场需求大增，多数厂商都遍寻不着货源，价格亦跟着大幅调涨，目前三星电子（Samsung Electronics）DDRII 667报价为5.6美元，其他主要DRAM大厂报价也都在5美元以上，令模组厂相当头痛。    记忆体模组厂表示，过去在现

    美国联邦贸易委员会(FTC)上周三对RAMBUS公司施以重拳，裁定该公司非法垄断被纳入了DRAM芯片产业标准的电脑内存技术市场。● FTC重判RAMBUS引发行业震荡    在由FTC委员Pamela Jones Harbour出具的意见书中，FTC认为RAMBUS通过欺骗性做法扭曲了关键的标准制订流程，并以反竞争的方式“阻挠”电脑内存产业的发展。FTC已命令召开额外的吹风会，以确定针对R

    根据DRAMeXchange最新发布的统计报告，在全球二十大DRAM内存模块生产商排行中，金士顿仍以近20％的份额高居榜首。今年第一季度，全球DRAM内存模块销售收入49.2亿美元，其中仅金士顿就达4.97亿美元，其市场份额也高达19.5％，远远领先第二名威刚的1.563亿美元和6.1％。    就各厂商的国家和地区分布而言，TOP20中有10家来自美国、8家来自我国台湾、1家来自我国大陆

    根据DRAMeXchange最新研究数据，2006年第一季全球DRAM 模块实际销售额为49.2亿美元。扣除DRAM原厂直接提供PC OEM厂商的模块出货，其中经由模块厂商出货至零售市场及PC OEM厂商之销售额为25.5亿美元。而模块厂商25.5亿美元销售额中，自有品牌业务占模块厂商营收比重高达73%% 。     DRAMeXchange更进一步指出，从整体DRAM模块产业出货型态观察，

    来自台湾DigiTimes的消息——英特尔及超微针对中央处理器（CPU）引发的杀价战方兴未艾，但二强极力进行的降价风潮，已开始点燃零售市场（Clone Market）需求，根据DRAM通路业者指出，除了英特尔的DDR2平台出货扩大外，超微六月才推出的支援DDR2的AM2平台，更扩大了现货市场端对DDR2颗粒及模组的需求强度，本周起包括Hynix、力晶等二家业者已调涨有效测试（eTT）DDR

    美国加州检方周五将对全球七家晶片厂涉嫌联手哄抬晶片价提起诉讼，台湾的南亚科技以及茂矽都上榜。     其他五家包括德国英飞凌(Infineon)、韩国海力士（Hynix）、美光（Micron）、日本Elpida以及NEC，令人意外的是三星电子未上榜。     加州检察总长Bill Lockyer周四表示，有33个州的检方将加入告这些晶片厂触犯反托辣斯法得行列。     检方告这七家晶片厂固

    茂德董事长陈民良近日表示，茂德70纳米裂程9月导入试产，明年第二季量产；中科四厂也预计2008年切入60纳米堆叠式制程技术，将是国内首家切入60纳米制程的DRAM厂。茂德第三座12寸厂中科四厂昨天动土典礼，经济部次长施颜祥、台湾惠普董事长何薇玲、海力士研发部副总经理朴星昱等人共同主持动土。    茂德中科四厂斥资25亿美元，预计明年下半年完工、第四季移入机器设备开始量产。四厂未来将直接导入

　　Pcworld报道，Intel计划在明年年中为其芯片组加入DDR3内存支持。Intel芯片组事业部总经理Malinowski说，到那时市场才能准备好接受DDR3内存。该公司最新的965芯片组家族只支持DDR2，并放弃了对DDR的支持。早期采纳者的渴望　　Intel对于DDR3的时间表并不会出乎人们意料，因为目前DDR2才刚刚开始转向主流。但一些用户可能会因此失望，因为DDR3已经在最新的高性能

    电子元件工业联合会(JEDEC)宣布已经正式完成了全缓冲双列直插式存储模块(FB-DIMM)的最终规范并对外公布。    FB-DIMM是一种新的内存架构，可以提供更强的稳定性、更好的可伸缩性、更大的带宽和更高的容量，主要面向服务器应用。FB-DIMM与常规DIMM的主要区别是它的内存控制器和内存模块之间采用串行模式通信，类似PCI-E。  FB-DIMM内存工作模式    来自三星电子的

    近日据Theinq报道，AMD之所以放弃支持DDR 667，专向支持DDR2 800内存，在于DDR2内存的延迟问题，这种问题如果不能很好解决，那么将对AMD造成灾难性影响。     这个问题不仅仅是AMD的问题，之前图形芯片厂商ATi、nVIDIA在DDR2显存上也遇到相同问题，即在256MB DDR2显存的Radeon 9800 Pro和Geforce FX 5800上。     AM

    05年我们不时会谈到“垂直整合”这个概念，特别对于整机厂商，假若能具备一整套的自行研发、生产的能力，这无疑对最后的整机成本会降低许多，著名芯片组制造商SIS便是其中一家。     在今年的德国CeBIT2006中展示了即将发布的众多系列内存。这也意味着SIS将进入内存制造产业，通过母公司UMC的代工优势发挥作用。   SIS卖内存，还真是新鲜的事，不知道什么时候登陆DIY市场      虽

    前一阵子闪存持续跌价，很多厂商准备把闪存生产线转为生产内存。存储业巨头三星针对这个消息谈了三星的运营策略。    三星投资关系部资深副总Woosik Chu表示：三星有调整内存和NAND型闪存产能的动作，不过三星仅考虑将当中一小部分NAND型Flash产能转至内存。他同时表示，NAND型Flash需求也即将反弹，因此确定三星不会大举将NAND型Flash产能转移至内存，而NAND型Flas