绽放的圣玫瑰！迅驰四代完全使用手册

● 大容量低价闪存的出现使闪存的应用更广泛

    2004年，东芝接续推出了MLC 4Gbit和8Gbit容量NAND芯片，将NAND闪存容量更推上新高峰。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝90nm MLC闪存的存储密度为每平方毫米29Mb，远远高于三星73nm闪存的每平方毫米25.8Mb的密度。

 三星73nm闪存核心

    因此，一直将重点放在SLC的三星也开始改变对MLC的看法。2004年和2005年三星在国际固态电路大会（ISSCC）上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然在三星的网站上仍旧没有任何有关MLC闪存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC NAND闪存芯片。其裸片尺寸是156平方mm，同东芝采用90nm工艺的MLC 4Gb NAND闪存相比，还是大了18平方mm。因此在MLC技术上追上东芝，三星在其下一代MLC技术上还需要改进。

    不过，三星最近改进了新的的Flex-OneNAND型闪存，这是一种混合型闪存芯片，可以在一颗芯片封装里混合采用SLC和MLC。以此来综合两者的优势，这种产品的接受度和实际性能还有待市场的检验。

 Flex-OneNAND成为三星闪存重要组成部分

    无论如何，MLC的出现和发展，使得闪存在相对低的成本下实现越来越高的容量成为可能。近年来各种NAND闪存存储卡体积越来越小，容量越来越大。以往由于容量上的缺陷，需要由0.8英寸、1英寸、1.8英寸等微型硬盘来填补空白的领域，现在正逐渐被大容量闪存“收复失地”，例如CF卡。相对于硬盘来说，闪存由于没有硬盘那样比较复杂伺服机构，稳定性、安全性、抗震性都要高很多，此外体积、重量、发热、噪音等各方面都要低不少。

    在读取速度上，闪存相比硬盘也有显著的优势（理论读取速度目前可达108MB/s，SATA 300硬盘目前实测持续读取传输率普遍在60MB/s～70MB/s的水平）。日常我们使用U盘和移动硬盘测试读取速度，结果都差不多。除了读写控制芯片的差异外，主要是受限于USB 2.0等外置接口的速度限制，目前采用USB接口外置移动存储设备的读取速度大约都在20MB/s～30MB/s左右。而采用SATA 300或是PCI-E×1等接口就没有这么低的速度上限。并且，硬盘中的一些数据，很可能都是碎文件（也就是与相关的其它数据不连接），硬盘如果要存取该数据，必须移动磁头臂→转动磁盘到相应磁道→磁头读／写数据→数据经过硬盘相关芯片的解码和传输，整个步骤非常复杂，因此也消耗不少处理时间，特别是前述的机械动作，如果有大量的使用者同时存取硬盘，I/O瓶颈的问题会更加严重。因此，利用容量日益扩大、成本逐渐降低的闪存来加快系统外部存储设备的数据读写速度，成为众多厂商争相研究的一个课题。