TSMC挑战Intel制程霸主地位 直奔20nm

    泡泡网CPU频道4月16日 最新消息，芯片制造商TSMC宣称将跳过22nm制程结点直接跳到20nm制程。

台积电

    台积电同时还将生产20nm的CMOS(互补金属氧化物半导体)，但是没有透露18nm的时间表。20nm的全新制程将采用High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术和新的低电阻ultra-low-k互联技术。

    当台积电的竞争者们还在28nm工艺上苦苦挣扎时，台积电直接跳过22nm绝尘而去。AMD拆分重组的Globalfoundries公司目前正在紧锣密鼓的研究22nm制程的CMOS（互补金属氧化物半导体），并且宣称该工艺将在2012年投入生产。

Intel将在2012年更新22nm制程

    台积电表示，20nm工艺将比22纳米拥有更优异的闸密度及芯片效能／成本比，其闸密度比28纳米高两倍。■